AOB66518L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | AOB66518L |
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Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | N |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $4.3664 |
1600+ | $3.803 |
2400+ | $3.6622 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D2Pak) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 10W (Ta), 375W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460 pF @ 75 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Ta), 120A (Tc) |
Grundproduktnummer | AOB66518 |
N
MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
AOS TO-263
IGBT 600V 10A 82.4W TO263
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
N
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
AOB482 AOS
AOB4S60 AOS
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
AO TO-263
IGBT 650V 5A TO263
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
FET N CHANNEL 80V
N
MOSFET N-CH 600V 8A TO263
N
MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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